机译:块状GaN衬底上的高性能GaN垂直鳍式功率晶体管
Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA;
Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA;
IQE RF LLC, Somerset, NJ, USA;
Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA;
Gallium nitride; Logic gates; Field effect transistors; Substrates; Silicon; Electrodes;
机译:1.5kV和2.2-m
机译:GaN体衬底上的垂直基于GaN的沟道栅金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有固有反向导通和低栅极电荷的垂直GaN功率晶体管,可实现高性能功率转换
机译:块状GaN衬底上的垂直GaN基功率器件,用于未来的功率开关系统
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:基于纳米多孔GaN和CoPc p–n垂直异质结的高性能自供电紫外光电探测器
机译:垂直GaN-On-GaN翅片晶体管的劣化:阶梯应力和恒压实验
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。