机译:使用堆叠的高k型氧化物的无线双栅MOSFET分析亚阈值摆动
机译:具有双材料栅叠层的纳米级无结双栅MOSFET的亚阈值行为模型
机译:基于潜在的阈值电压和用于无连接双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压和亚阈值摆幅模型,具有双层栅极
机译:沟道长度和高K氧化物厚度对渐变沟道和栅堆叠DG-MOSFET亚阈值直流性能的影响
机译:具有高k栅极堆栈的双层双栅极连接累积模式圆柱形圆柱栅极的研究,高功率数字应用
机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:具有纳米堆叠的高k栅极电介质和3D鳍形结构的高性能III-V MOSFET
机译:硅锗(SiGe)MOSFET上的双材料栅极(DMG)应变硅(s-Si)的二维(2D)亚阈值电流和亚阈值摆幅模型。