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机译:ALD AL2O3栅极电介质对界面陷阱密度的降低和IGO TFT的增强光电性能
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机译:用Al2O3栅极电介质的金刚石MOSFET的增强界面性质在高温下沉积ALD
机译:具有混合热和等离子体增强ALD的超低密度高k栅极电介质
机译:ALD生长的Al2O3栅极电介质的AlGaN / GaN MOS-HEMT中的阈值电压不稳定性:与氧化物/半导体界面态密度分布的关系
机译:开发用于TFT应用的等离子增强化学气相沉积(PECVD)栅极电介质。
机译:ALD沉积La2O3 / Al2O3叠层和LaAlO3介电薄膜的电学性能研究
机译:用于GaN / AlGaN / GaN MOS HEMT的低温原子层沉积生长的Al2O3栅极电介质:沉积条件对界面态密度的影响