机译:通过集成选择性外延生长和选择性湿法蚀刻方法,通过集成高质量和应变宽松的GESN微小微小探测方法
GeSn microdiskMolecular beam epitaxySelective wet etchingMicro-Raman spectroscopyStrain relaxation;
机译:使用GeSn / Ge CVD外延生长和最佳选择性沟道释放工艺在硅上垂直堆叠的应变3-GeSn-纳米片pGAAFET
机译:变质分子束外延生长和选择性湿法刻蚀将AlAsSb外延层剥离到具有高光学限制的光波导中
机译:硅的选择性外延生长工艺的稳健性及其在高质量混合SOI晶圆制造中的应用
机译:GeSn / Ge在Si上的I
机译:选择性外延生长技术,可在硅上集成高质量的锗。
机译:集成选择性外延生长和选择性湿法刻蚀制造高质量和应变松弛的GeSn微盘
机译:通过集成选择性外延生长和选择性湿法蚀刻方法,通过集成高质量和应变宽松的GESN微小微小探测方法
机译:选择性蚀刻硅选择性区域外延生长