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【2h】

Fabrication of High-Quality and Strain-Relaxed GeSn Microdisks by Integrating Selective Epitaxial Growth and Selective Wet Etching Methods

机译：通过集成选择性外延生长和选择性湿法蚀刻方法，通过集成高质量和应变宽松的GESN微小微小探测方法

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Guangjian Zhu; Tao Liu; Zhenyang Zhong; Xinju Yang; Liming Wang; Zuimin Jiang;
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年度 2020
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1. Fabrication of High-Quality and Strain-Relaxed GeSn Microdisks by Integrating Selective Epitaxial Growth and Selective Wet Etching Methods [J] . Guangjian Zhu, Tao Liu, Zhenyang Zhong, Nanoscale Research Letters . 2020,第1期

机译：通过集成选择性外延生长和选择性湿法蚀刻方法，通过集成高质量和应变宽松的GESN微小微小探测方法
2. Metamorphic molecular beam epitaxy growth and selective wet etching for epitaxial layer lift-off of AlAsSb toward optical waveguides with high optical confinement [J] . Shin-ichiro Gozu, Kouichi Akahane, Naokatsu Yamamoto, Journal of Crystal Growth . 2007,第Apr期

机译：变质分子束外延生长和选择性湿法刻蚀将AlAsSb外延层剥离到具有高光学限制的光波导中
3. Robustness of a Selective Epitaxial-Growth Process of Silicon and Its Application to the Fabrication of a High-Quality Hybrid SOI Wafer [J] . Hajime Nagano, Kiyotaka Miyano, Takashi Yamada, IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing . 2005,第1期

机译：硅的选择性外延生长工艺的稳健性及其在高质量混合SOI晶圆制造中的应用
4. First vertically stacked GeSn nanowire pGAAFETs with Ion= 1850μA/μm (Vov= Vds= −1V) on Si by GeSn/Ge CVD epitaxial growth and optimum selective etching [C] . Yu-Shiang Huang, Fang-Liang Lu, Ya-Jui Tsou, IEEE International Electron Devices Meeting . 2017

机译：GeSn / Ge在Si上的I on =1850μA/μm（V ov = V ds = -1V）的第一个垂直堆叠的GeSn纳米线pGAAFET CVD外延生长和最佳选择性蚀刻
5. Selective epitaxial growth techniques to integrate high-quality germanium on silicon. [D] . Leonhardt, Darin. 2011

机译：选择性外延生长技术，可在硅上集成高质量的锗。
6. Fabrication of High-Quality and Strain-Relaxed GeSn Microdisks by Integrating Selective Epitaxial Growth and Selective Wet Etching Methods [O] . Guangjian Zhu, Tao Liu, Zhenyang Zhong, 2020

机译：集成选择性外延生长和选择性湿法刻蚀制造高质量和应变松弛的GeSn微盘
7. Strained Si0.2Ge0.8/Ge multilayer Stacks Epitaxially Grown on a Low-/High-Temperature Ge Buffer Layer and Selective Wet-Etching of Germanium [O] . Lu Xie, Huilong Zhu, Yongkui Zhang, 2020

机译：应变Si0.2Ge0.8 / Ge多层堆叠在低/高温Ge缓冲层上长期生长，并选择性湿法蚀刻锗
8. Selective Etching of Silicon for Selective Area Epitaxial Growth [R] . Advena, D. J., Dinan, J. H. 1996

机译：选择性蚀刻硅选择性区域外延生长

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