机译:通过弱激光照射,低温(<200℃)高取代Sn浓度(约10%)Gesn的固相结晶(〜10%)GESN增强
机译:高取代锡浓度的绝缘子结构上GeSn的脉冲数控制激光退火
机译:a-GeSn / c-Ge的低温(约150摄氏度)固相外延形成高Sn浓度(约8%)的GeSn
机译:激光退火晶种对GeSn进行低温(〜180℃)位置控制横向固相结晶
机译:绝缘体上GeSn在低温(180°C)下的弱激光辐照增强固相结晶-取决于厚度的高取代Sn浓度
机译:片上固相萃取预浓缩/聚焦基质与大气压基质辅助的激光解吸/电离离子阱质谱联用用于高灵敏度生物分子分析
机译:弱激光辐照增强绝缘子上高取代度sn浓度(~10%)Gesn的低温(<200 oC)固相结晶