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机译:三相Spwm逆变器的Si IGBT与Sic Mosfet(碳化硅)的比较损耗评估
机译:功率模块SiC MOSFET与SI-IGBT对比表征的研究及三相SPWM逆变器
机译:使用Si IGBT,SiC MOSFET和GaN HEMT的单相T型逆变器性能基准
机译:基于双闭环控制的LCL三相逆变器的Si IGBT和SiC MOSFET功率器件的性能比较
机译:电力模块SiC MOSFET与SI-IGBT对比表征的研究及三相SPWM逆变器
机译:二氧化硅/碳化硅界面的微结构和化学研究及其与碳化硅MOS二极管和碳化硅MOSFET的电学性质的关系。
机译:计算的见解和SiC纳米颗粒组装的观察:面向二维碳化硅
机译:使用Si IGBT,SiC MOSFET和GaN HEMT的单相T型逆变器性能基准