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Electrical transport characteristics of ruthenium-InP Schottky diodes from current-voltage-temperature (I-V-T) measurements

机译：从电流-电压-温度（I-V-T）测量得出钌/ n-InP肖特基二极管的电传输特性

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《Optoelectronics and Advanced Materials-Rapid Communications》 |2008年第2008期|共页
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中图分类电工技术;
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2. The reverse bias current-voltage-temperature (I-V-T) characteristics of the (Au/Ti)/Al_2O_3/n-GaAs Schottky barrier diodes (SBDs) in temperature range of 80-380 K [J] . C. S. Gueclue, A. F. OEzdemir, D. A. Aldemir, Journal of materials science . 2021,第5期

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