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机译:利用电流-电压-温度(I-V-T)特性研究Au /(Cu_2O-CuO-PVA)/ n-Si(MPS)肖特基势垒二极管(SBD)的导电机理
Physics Department, Faculty of Sciences, Gazi University;
Physics Department, Faculty of Sciences, Gazi University;
Physics Department, Faculty of Sciences, University of Mohaghegh Ardabili,Engineering Sciences Department, Sabalan University of Advanced Technologies;
Physics Department, Faculty of Sciences, Gazi University;
机译:(AU / TI)/ AL_2O_3 / N-GAAS肖特基势垒二极管(SBD)的反向偏置电流 - 电压 - 温度(I-V-T)特性在80-380 k的温度范围内
机译:Au / n-InP肖特基势垒二极管(SBD)中与温度有关的电流传导机制
机译:使用I-V-T和C-V-T测量方法提取具有原生绝缘体层的Au / n-Si(111)肖特基势垒二极管(SBD)中的串联电阻和界面态
机译:陷阱对Au / n-InP肖特基势垒二极管I-V-T特性的影响
机译:肖特基势垒二极管及其作为肖特基势垒电阻的应用
机译:通过电感耦合等离子体(ICP)和器件特性优化准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)的台面蚀刻
机译:利用Au / ZnO纳米棒肖特基二极管的I-V-T特性对界面陷阱和势垒不均匀性进行系统研究