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【24h】

Electrically pumped continuous-wave 1.3 μm InAs/GaAs quantum dot lasers monolithically grown on on-axis Si (001) substrates

机译:在轴Si(001)衬底上单片生长的电泵浦连续波1.3μmInAs / GaAs量子点激光器

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摘要

We report on the first electrically pumped continuous-wave (cw) InAs/GaAs quantum dot (QD) lasers monolithically grown on on-axis Si (001) substrates without any intermediate buffer layers. A 400 nm antiphase boundary (APB) free epitaxial GaAs film with a
机译:我们报告了在没有任何中间缓冲层的情况下单轴生长在同轴Si(001)衬底上的第一批电泵浦连续Ina / GaAs量子点(QD)激光器。 400 nm无相位边界(APB)的外延GaAs膜,具有

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