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机译:在源极和漏极上制造具有非常薄的SiNx薄膜的隧道介电薄膜晶体管
机译:并五苯薄膜晶体管的源/漏电极用射频磁控溅射沉积铝掺杂的ZnO薄膜
机译:全喷墨印刷的底栅薄膜晶体管,采用紫外光固化电介质,用于定义良好的源漏电极
机译:源极和漏极接触对基于阳极氧化铝栅极电介质的铟锌氧化物薄膜晶体管性能的影响
机译:自对准底栅InGaZnO薄膜晶体管,其源极和漏极区由选择性沉积氟化SiNx钝化形成
机译:带有金属置换的源极和漏极的薄膜晶体管
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:用非常薄的SINX薄膜施加隧穿介电薄膜晶体管在源极和排水管中的制造