机译:在源极和漏极上制造具有非常薄的SiNx薄膜的隧道介电薄膜晶体管
机译:并五苯薄膜晶体管的源/漏电极用射频磁控溅射沉积铝掺杂的ZnO薄膜
机译:全喷墨印刷的底栅薄膜晶体管,采用紫外光固化电介质,用于定义良好的源漏电极
机译:自对准底栅InGaZnO薄膜晶体管,其源极和漏极区由选择性沉积氟化SiNx钝化形成
机译:带有金属置换的源极和漏极的薄膜晶体管
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:薄膜晶体管:超薄,均匀共聚物电介质的合成,控制有机薄膜晶体管的阈值电压(ADV。Funct。Matter。36/2016)