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机译:使用串行辐射处理和微波退火可减小半导体异质结构中p–n结的深度
机译:通过串行辐射处理和微波退火降低半导体异质结构中p-n结的深度
机译:减少异质结构中串联p-n型结系统深度的退火优化
机译:通过优化激光退火降低半导体异质结中注入结整流器的深度
机译:近曲面退火的优化近表面退火,降低半导体异质结构中P-N结的深度
机译:电场对磷化铟半导体结中稳定的辐射诱导缺陷的形成和退火的影响。
机译:具有固溶处理的金属氧化物半导体和介电膜的可穿戴式1 V工作薄膜晶体管通过低温深紫外光退火在低温下制成
机译:使用串行辐射处理和微波退火可减小半导体异质结构中p–n结的深度
机译:使用微波选择性地退火异质结构的方法和设备