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机译:晶格失配对可变层不匹配的单晶表面(InP,GaAs,GaN,SiC)上原子层沉积生长的ZnO的原子有序性的影响
atomic layer depositionALDZnOZnO/GaNZnO/SiChetero-interfaceheterojunction;
机译:通过X射线光电子能谱结合体和表面表征技术揭示AP-MOVPE生长的晶格失配InGaAsN薄膜中的原子构型
机译:使用原子层沉积在大量晶格不匹配的衬底上生长(002)取向的ZnO薄膜
机译:在GaAs上生长的具有0.5%晶格失配的Al_(0.1)In_(0.9)Sb层夹在中间的InSb单晶薄膜的性能
机译:MBE种植晶格中的脱位和陷阱在GaAS消音上的P-IngaAs / GaAs层
机译:在InAs(100)和GaAs(100)表面上高k金属氧化物原子层沉积过程中的表面化学和界面演化。
机译:富GaAs(001)-4×6和As富GaAs(001)-2×4表面上三甲基铝原子层沉积的原子-原子相互作用:同步辐射辐射光发射研究
机译:用可变混合物(INP,GaAs,GaN,SiC)对单晶表面生长在单晶表面上的ZnO原子排序的影响