机译:衬底偏置电压和沉积温度对硅上射频磁控溅射钛膜性能的依赖性(100)
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机译:Ga掺杂的ZnO薄膜特性对不同溅射工艺参数的依赖性:衬底温度,溅射压力和偏置电压
机译:在硅(100)衬底上的立方碳化硅上溅射氮化铝(002)膜:衬底温度和沉积功率的影响
机译:室温下射频磁控溅射硅薄膜特性的衬底类型和沉积压力依赖性
机译:沉积参数与射频磁控溅射沉积氧化锆薄膜性能之间的关系。
机译:杂化钙钛矿的新型物理气相沉积方法:通过射频磁控溅射法生长MAPbI3薄膜。
机译:Ga掺杂的ZnO薄膜特性对不同溅射工艺参数的依赖性:衬底温度,溅射压力和偏置电压
机译:硅烷等离子体中siH浓度对非晶硅薄膜沉积的衬底温度依赖性