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机译:1200 V的快速IGBT
机译:快速1200 V IGBT
机译:本地寿命控制IGBT结构在1200V沟槽与新型平面PT-IGBT之间进行硬和软切换时的关断性能比较
机译:结构参数缩放对1200 V尺度IGBT的导通状态电压的影响
机译:1200V 100A SiC MOSFET和1200V 100A硅IGBT的性能比较
机译:15 kV SiC IGBT实现中压功率转换
机译:基于新型Volterra k最近邻最优修剪极限学习机(VKOPP)模型的绝缘栅双极晶体管(IGBT)剩余寿命估算
机译:1200V 100A SIC MOSFET和1200V 100A硅IGBT的性能比较