机译:在极高温度下分析600 V / 650 V SiC肖特基二极管
Department of Microelectronics School of Electronics and Information Engineering Xi’an Jiaotong University Xi'an China;
Department of Microelectronics School of Electronics and Information Engineering Xi’an Jiaotong University Xi'an China;
Departmen;
Schottky diodes; Silicon carbide; Performance evaluation; Leakage currents; Temperature distribution; Capacitance;
机译:4H-SiC肖特基势垒二极管,结屏障肖特基二极管和引脚二极管的温度传感性能比较
机译:高温下封装的SiC肖特基势垒二极管的部分热阻分析
机译:SiC肖特基二极管IV特性的位移损伤剂量和低退火温度的ANOVA分析
机译:600V / 650V商用SiC肖特基二极管的极高温表征
机译:使用砷化镓肖特基势垒二极管分析室温毫米波混频器。
机译:具有4H-SIC肖特基二极管的60-700 k CTAT和PTAT温度传感器
机译:al / a-sic:H肖特基二极管对R.F.溅射a-sic:H薄膜不同衬底温度的光学响应研究
机译:采用siC肖特基二极管的高频应用高频(HF)感应电源转换电路。