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Vishay发布新款采用20V P沟道MOSFET

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正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出业界首款采用3.3 mm×3.3mm封装以实现在4.5 V栅极驱动下4.8 mΩ最大导通电阻的20 V P沟道MOSFET—Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本

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来源
《半导体信息》|2012年第6期|P.9-9|共1页
作者
赵佶;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类场效应器件;
关键词
V P沟道MOSFET Vishay 导通电阻栅极驱动首款负载开关蜂窝电话电池运行充电电路移动计算设备;

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