Effect of isochronal annealing on CdTe and the study of electrical properties of Au–CdTe Schottky devices

摘要

Single-crystal CdTe was grown with the vapour phase technique. Dice were suitably etched and then annealed in air isochronally at different temperatures (473, 573, 673, and 773 K) for the same period of time (1 h). Schottky barriers were made by vacuum evaporation of gold onto the as-grown CdTe single-crystal substrate as well as onto the isochronally annealed substrates. The physical properties of Au–CdTe devices were studied as a function of temperature by electrical methods, such as capacitance–voltage and current–voltage analysis. The isochronal annealing technique was found to produce a significant change in the electrical properties, such as barrier height, carrier concentration, ideality factor, and forward-bias threshold, of the Au–CdTe Schottky diode. The observations are discussed in terms of the various theories of Schottky barrier formation. PACS No.: 73.30tyNous avons fait croître des cristaux simples de CdTe dans un milieu en phase vapeur. Les surfaces des matrices étaient préparées et on a procédé à des recuits isochroniques dans l'air à 473, 573, 673 et 773 K, chacune pendant 1 h. Nous avons fabriqué des barrières Schottky en évaporant de l'or sous vide sur des substrats fait de nos cristaux simples de CdTe, sans et avec recuit isochronique. À l'aide de mesures électriques, comme l'analyse de voltage, de capacitance–voltage et courant–voltage nous avons étudié les propriétés physiques des dispositifs Au–CdTe en fonction de la température. Nous observons que le recuit isochronique du substrat a un effet significatif sur les propriétés électriques de la diode Schottky Au–CdTe, comme la hauteur de barrière, la densité de charge, le facteur d'idéalité et le seuil de polarisation en sens direct. Nous analysons ces observations à l'aide de différentes théories sur la formation de barrières Schottky. [Traduit par la Rédaction]