不同NO退火条件对4H-SiCMOS电容电学特性的影响研究

摘要

本文针对不同NO退火条件对N型和P型外延制备的4H-SiC MOS电学特性的影响进行了研究,结果表明对于N型4H-SiC MOS电容,随着NO退火时间以及温度的提升,能够进一步显著降低导带底附近的界面态密度,但同时也会在氧化层中引入带正电的固定电荷,导致平带电压的负偏;而对于P型4H-SiC MOS电容,并没有观察到不同NO退火对价带顶附近的界面态密度的带来的改善效果,相反,NO退火后的样品存在大量慢态空穴陷阱,同时引入了一个深能级陷阱,数量随着NO退火时间以及温度的提升而增加.