机译:小rh_n(n = 1-4)集群对MOS_2单层几何和电子行为的掺杂效应:第一原理研究
Southwest Univ Coll Artificial Intelligence Chongqing 400715 Peoples R China|Chongqing Univ State Key Lab Power Transmiss Equipment & Syst Se Chongqing 400044 Peoples R China;
Southwest Univ Coll Artificial Intelligence Chongqing 400715 Peoples R China;
Rh-n clusters; Adsorption; MoS2 monolayer; First-principles theory;
机译:3d-金属三氧化物超卤素团簇掺杂单层MoS_2的电子和磁性:第一性原理研究
机译:第一性原理研究COF_2和CF_4气体在掺Ni的MoS_2单层上的吸附行为
机译:掺杂3d金属三氧化物簇的单层石墨烯的结构,电子和磁性能:第一性原理研究
机译:Sn掺杂六角BN单层的电子和光学性质:第一性原理研究
机译:原始和掺杂的锐钛矿型二氧化钛电子结构的第一性原理研究。
机译:掺杂O的纯净和硫空缺缺陷单层WS2的电子性质:第一性原理研究
机译:O-掺杂纯净和硫空位缺陷单层WS2的电子性质:一项第一原理研究