机译:Ni / Cu嵌入式S-空位的结构,电子和磁性缺陷MOS_2单层及其对SO_X和O_3分子吸附的影响
Henan Agr Univ Sch Forestry Zhengzhou 450002 Peoples R China;
Ton Duc Thang Univ Dept Management Sci & Technol Dev Ho Chi Minh City Vietnam|Ton Duc Thang Univ Fac Social Sci & Humanities Ho Chi Minh City Vietnam;
Yunnan Normal Univ Sch Informat Sci & Technol Kunming 650500 Yunnan Peoples R China;
Henan Agr Univ Sch Forestry Zhengzhou 450002 Peoples R China;
DFT; SO2 and SO3 molecules; O3; Cu-MoS2: Ni-MoS2; Band structure;
机译:收缩通知“Ni / Cu嵌入式S-空位缺陷的MOS_2单层的结构,电子和磁性性能的”结构,电子和磁性,它们对SO_X和O_3分子的吸附的影响“冲浪。 SCI。 517(2020)146179]
机译:MoS_2单层吸附O_3,SO_2和SO_3气体分子的计算研究
机译:AU集群吸附完美和有缺陷的MOS2单层:结构和电子性质
机译:BATI_(0.5)NI_(0.5)O_3中结构,电子和光学性质的第一原理研究
机译:自组装单分子膜的结构和电子性能研究:走向分子电子学。
机译:单轴拉伸应变下具有S空位的单层MoS2的结构和电子性质的第一性原理研究
机译:原子和分子吸附对电子和磁场的影响 嵌入Fe原子的均三嗪的性质:DFT研究
机译:含有不寻常电子,光学和磁性的含主族元素分子和分子衍生材料的设计与构建。总结报告。