空位缺陷单层WS2的电子结构和光催化理论研究

摘要

利用Materials Studio 7.0这种量子化学软件对空位掺杂单层WS2的电子结构和能带边缘电位进行计算,结果表明:空位掺杂WS2之后,带隙值减小.空位掺杂后引入了掺杂能级,结果造成导带位置降低,所以空位掺杂有利于电子从价带运动到导带.S空位掺杂WS2之后,CBM电位(即还原电位)较本征态的更正,VBM电位(即氧化电位)较本征态的更负,因而S空位掺杂使得单层WS2体系的析氢能力和析氧能力都降低.但W空位掺杂使得原体系的析氢能力提高,析氧能力降低.