机译:GaN外延层与原子氢的相互作用
CNR, IMIP, Inst Inorgan Methodologies & Plasmas, I-70126 Bari, Italy;
GaN; surface reactivity; interaction with atomic hydrogen; ellipsometry; MOLECULAR-BEAM EPITAXY; SAPPHIRE NITRIDATION TEMPERATURE; POLARITY; MICROSCOPY; CHEMISTRY; SURFACE; IMPACT; GROWTH; FORCE; FILMS;
机译:外延GaN层中位错与过长的v形缺陷之间的排斥相互作用
机译:非极性a面GaN外延层中棱柱堆叠缺陷的原子结构
机译:通过光学和原子力显微镜确定不同厚度的GaN外延层中位错的类型和密度
机译:GaN外延层马赛克晶界脱位的原子结构
机译:季铟铝氮化镓外延层中的相分离,原子有序化和缺陷。
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:外延GaN层的结构,电子性质和缺陷相互作用
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应