机译:GaAs金属-绝缘体-半导体结构的导纳光谱法研究
Silesian Tech Univ, Inst Phys, PL-44100 Gliwice, Poland;
constant phase element; metal-insulator-semiconductor structure; electrical properties and measurements; gallium arsenide; CONSTANT PHASE ELEMENT; ELECTRICAL-PROPERTIES; ELECTROCHEMICAL IMPEDANCE; INDIFFERENT ELECTROLYTE; (NH4)(2)S-X TREATMENT; FREQUENCY DISPERSION; INTERFACE STATES; MIS DEVICES; SURFACE; FABRICATION;
机译:GaAs衬底上通过分子束外延生长的基于梯度间隙HgCdTe的金属-绝缘体-半导体结构的导纳
机译:具有深陷阱的GaAs金属-绝缘体-半导体结构的导纳特性的两个恒定相元素行为
机译:硅界面控制层Gaas高k金属绝缘体-半导体电容器的导纳研究
机译:in Ingaas / GaAs量子阱通过导纳光谱研究异质结构隧道分量研究
机译:通过调制反射光谱法探测GaAs / AlGaAs共振布拉格结构中的第二量子态跃迁。
机译:变质InAs / InGaAs和InAs / GaAs量子点结构的光电性能比较研究
机译:Inalas / InGaAs单量子阱结构的入场光谱学,InalAS层中具有高浓度的电子陷阱