机译:具有深陷阱的GaAs金属-绝缘体-半导体结构的导纳特性的两个恒定相元素行为
Institute of Physics, Silesian University of Technology, ul. Krzywoustego 2, Gliwice 44-100, Poland;
constant phase element; metal-insulator-semiconductor structure; electrical properties and measurements; gallium arsenide;
机译:具有恒相元件的等效电路描述频率行为或金属-SiO_2-GaAs结构特性
机译:基于AlN层深陷阱的Al / AlN / Si金属绝缘体-半导体结构中的电荷存储特性
机译:有限元分析研究辐照引起的深能级陷阱引起的InGaP / InGaAs / Ge多结太阳能电池特性退化
机译:界面陷阱参数对MIS(金属-绝缘体-半导体)隧道结构导纳特性的影响
机译:通过分子束外延生长低无序GaAs / AlGaAs异质结构,以研究二维相关电子相。
机译:深能级陷阱及其对InP / InGaAs异质结构电流特性影响的研究
机译:深层陷阱的研究及其对INP / Ingaas异质结构的电流特征的影响
机译:alGaas-Gaas界面中alGaas层的深陷阱。最终技术报告