机译:通过超高真空化学气相沉积生长的薄应变弛豫硅锗
Tsing Hua Univ, Inst Microelect, Beijing 100084, Peoples R China;
SiGe; strain relaxation; ultrahigh vacuum chemical vapor deposition; ion implantation; ION-IMPLANTATION; RELAXATION; LAYERS; HETEROSTRUCTURES; INSULATOR;
机译:超高真空化学气相沉积原位退火制备的纳米锥SiGe抗反射薄膜
机译:通过超高真空化学气相沉积在Si(100)上生长高质量Ge外延层的超薄低温SiGe缓冲液
机译:通过在GaAs衬底上超高真空化学气相沉积法生长的高质量Ge薄膜
机译:通过超高真空化学气相沉积法在Si_(1-y)C_y合金中掺入碳
机译:通过超高真空化学气相沉积的原子平Si / SiGe异质结构的生长
机译:通过超高真空化学气相沉积法生长的Si / SiGe量子阱中的阱间耦合效应
机译:通过超高真空化学气相沉积法生长的GexSi1-x层松弛,位错密度降低