机译:硅化镍肖特基的势垒高度和不均匀性研究
Zhejiang Normal Univ, Dept Phys, Zhejiang 321004, Peoples R China;
Fudan Univ, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China;
nickel silicide; Schottky barrier inhomogeneities; I-V characteristic; annealing; CONTACTS; STATES;
机译:用内部光发射光谱法研究硅化镍中肖特基势垒高度的不均匀性
机译:硅化镍肖特基接触的势垒高度和相变研究
机译:使用预硅化物硫化铵处理对硅化镍在硅上的有效肖特基势垒高度的调制
机译:I-V-T技术研究单硅化镍/ n-Si触点的肖特基势垒高度不均匀性
机译:金/(100)砷化镓和金/硅化铂/(100)硅二极管的肖特基势垒高度和弹道电子传输特性的横向变化。
机译:硅和锗对硅和锗的肖特基势垒高度的面依赖性
机译:si和Ge上硅化物和锗化物肖特基势垒面的面对依赖性