公开/公告号CN101807526A
专利类型发明专利
公开/公告日2010-08-18
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN200910077723.0
申请日2009-02-13
分类号H01L21/336(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-12-18 00:39:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-05-02
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/336 公开日:20100818 申请日:20090213
发明专利申请公布后的视为撤回
2010-10-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20090213
实质审查的生效
2010-08-18
公开
公开
机译: 一种势垒高度改善的肖特基二极管的生产方法。
机译: 金属源极/漏极肖特基势垒无金属硅MOSFET器件及其方法
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