机译:硅化镍肖特基接触的势垒高度和相变研究
Fudan Univ, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China;
nickel silicide; Sckottky barrier; photocurrent; annealing; STATES;
机译:硅化镍肖特基的势垒高度和不均匀性研究
机译:使用预硅化物硫化铵处理对硅化镍在硅上的有效肖特基势垒高度的调制
机译:使用预硅化物硫化铵处理对硅化镍在硅上的有效肖特基势垒高度的调制
机译:I-V-T技术研究单硅化镍/ n-Si触点的肖特基势垒高度不均匀性
机译:金/(100)砷化镓和金/硅化铂/(100)硅二极管的肖特基势垒高度和弹道电子传输特性的横向变化。
机译:硅和锗对硅和锗的肖特基势垒高度的面依赖性
机译:具有纳米级势垒宽度的硅化物/ Si肖特基接触中的低温隧穿电流增强