机译:硅化镍肖特基二极管中势垒不均匀性和载流子传输的预测
Indian Inst Technol, Dept Elect & Elect Commun Engn, Kharagpur 721302, W Bengal, India;
Univ Newcastle Upon Tyne, Sch Elect Elect & Comp Engn, Newcastle Upon Tyne NE1 7RU, Tyne & Wear, England;
carrier transport; barrier inhomogeneity; Schottky diode; quantum mechanical; CONTACTS;
机译:Au / Sn02-PVA / n-Si肖特基势垒二极管中与温度有关的电流传输机制和势垒不均匀性
机译:GaN基纳米级肖特基势垒二极管中的势垒不均匀性限制了电流和1 / f噪声的传输
机译:后退火工艺可改善Ti / Al 4H-SiC肖特基势垒二极管中肖特基势垒高度的不均匀性
机译:载流子传输机制有助于3C-SiC-on-Si肖特基势垒二极管中的亚阈值电流
机译:肖特基障碍二极管中的少数载体注入(存储延迟,电导率调制)。
机译:GaN基纳米级肖特基势垒二极管中的势垒不均匀性限制了电流和1 / f噪声的传输
机译:阻挡不均匀性限制了基于GaN的纳米级肖特基势垒二极管中的电流和1 / f噪声传输