机译:通过PLD获得的高k电介质氧化物作为MOS器件中栅极电介质的溶液
National Institute for Laser, Plasma and Radiation Physics, P.O. Box MG 16, RO-77125 Magurele, Bucharest, Romania;
ZrO_2; ZrSi_xO_y; HfO_2; HfSi_xO_y; pulsed laser deposition; leakage current; atomic force microscopy;
机译:亚纳米等效氧化物厚度的高级高k栅介电非晶LaGdO3栅金属氧化物半导体器件
机译:具有亚纳米等效氧化物厚度的高级高k栅极电介质非晶LaGdO_3栅金属氧化物半导体器件
机译:纳米金属氧化物半导体器件界面介电常数的不匹配与高K栅极介电质对反型电荷密度的影响
机译:Si和更高迁移率衬底上的三元稀土氧化物的电学和结构特性及其在MOSFET器件中作为高k栅极电介质的集成
机译:适用于未来规模化技术的高介电常数电介质和高迁移率半导体:氧化ha /锗CMOS器件的Ha基高K栅极电介质和界面工程
机译:使用氧化锆纳米线作为高k栅极电介质的高性能顶门石墨烯纳米晶体管
机译:亚纳米等效氧化物厚度的高级高k栅介电非晶LaGdO3栅金属氧化物半导体器件
机译:喷射气相沉积(JVD)氧化硅/氮化物/氧化物薄膜(ONO)薄膜作为siC和GaN器件的栅极电介质的研究。