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机译:三元稀土氧化物对Si和较高迁移率氧化物的电气和结构性能及其作为MOSFET装置中高k栅极电介质的整合
机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:高迁移率Ge衬底上生长的稀土氧化物的栅堆叠介电降解