机译:表面能的电化学研究:HF浓度对化学硅沉积在p-Si上的影响(1 1 1)
Department of Chemistry, Lanzhou University, 730000 Lanzhou, China;
electroless silver deposition; surface energy; direct current polarization; open circuit potential-time (ocp-t) technique; stress generation and relaxation; HF;
机译:表面能的电化学研究:HF浓度对化学硅沉积在p-Si(111)上的影响
机译:表面能的电化学研究:HF浓度对化学硅沉积在p-Si(111)上的影响
机译:化学镀铜引起的与水(CuSO4 + HF)接触的p-Si电化学势的周期性和混沌振荡
机译:等离子体增强原子层沉积制备的HFO_2薄膜相诱导表面能变化的研究
机译:通过基础表面科学的视角,研究了将水性电化学二氧化碳还原成甲酸在铟电极上的形成,以及银在离子液体中的可逆电沉积。
机译:银电极上Bi2Se3电化学原子层生长和铋的表面受限沉积研究
机译:利用蒸发的金膜的容易氧化来驱动化学镀银,以形成双金属Au / Ag表面
机译:银(pt)上的欠电位沉积的浓度依赖性:电化学和特高压研究