机译:聚焦离子束刻蚀法制备单个Aln锥的局部场发射特性
Microfabrication Laboratory, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China;
aln cone; field emission; focused ion-beam etching;
机译:含有在通过极性选择性外延和蚀刻方法制造的ALN纳米棒上生长的空隙
机译:用于场发射器件的纳米结构的精密反应离子束刻蚀系统
机译:离子束溅射沉积通过数控局部湿法刻蚀制备的高反射率(m = 4)椭圆中子聚焦超镜
机译:由聚焦离子束制造的单个ALN锥体的局部场发射特性
机译:使用边界元方法逼近局部排气口的三维速度特性。
机译:干/湿蚀刻法制备的微纳米杂化结构的减反射研究
机译:在通过极性选择性外延和蚀刻方法制造的ALN纳米棒上含有含有ALN层的空隙
机译:强隧道内隧道阻力对聚焦离子束刻蚀制备单电子晶体管电导的影响2。会议文件