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机译:新型脉冲电子沉积技术在镀金Sic衬底上合成Gan纳米线
Department of Physics, Center for Optoelectronics Materials and Devices, Zhejiang Sci-Tech University, Xiasha College Park, Hangzhou 310018, China;
gan; nanowire; pulsed electron deposition technique; raman scattering spectroscopy;
机译:通过脉冲金属有机化学气相沉积法在SiC衬底上生长接近晶格匹配的InAIN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:脉冲激光沉积在不同衬底上的GaN厚膜的光电特性和结构表征
机译:脉冲激光沉积在不同衬底上的GaN厚膜的光电特性和结构表征
机译:通过脉冲激光沉积技术在LAALO_3基板上生长的电子掺杂LA_(0.85)TE_(0.85)TE_(0.85)TE_(0.15)MNO_3薄膜的合成与表征
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:氧化铝衬底上低温脉冲电子沉积技术获得的In2O3纳米薄膜的气敏特性
机译:脉冲激光沉积法在不同衬底上制备GaN厚膜的光电特性和结构表征
机译:用原子层沉积技术功能化的GaN纳米线增强生物分子的固定化