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机译:高温短时退火对电子束蒸发沉积SnS薄膜的影响
Yeungnam Univ, Sch Chem Engn, Gyongsan 38541, Gyeongbuk, South Korea;
Yeungnam Univ, Sch Chem Engn, Gyongsan 38541, Gyeongbuk, South Korea;
Yeungnam Univ, Sch Chem Engn, Gyongsan 38541, Gyeongbuk, South Korea;
Yeungnam Univ, Sch Chem Engn, Gyongsan 38541, Gyeongbuk, South Korea;
Tin sulfide; Electron beam evaporation; Annealing; Single crystallinity;
机译:基板温度和后退火对使用电子束蒸发沉积的CIGS薄膜性能的影响
机译:基板温度和后退火对使用电子束蒸发沉积的CIGS薄膜性能的影响
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机译:低温干氮退火后电子束蒸发沉积的La_2O_3薄膜中的空间电荷限制电流传导
机译:通过电子束共蒸发沉积的高温超导体薄膜的加工和表征。
机译:IAD电子束蒸发低温TiO2 / Ag / SiO2电极用透明导电多层膜
机译:原位沉积后沉积热退火的共蒸发Cu(InGa)SE