退火温度对电子束蒸发的ZnS薄膜性能的影响

摘要

为了获得光电性能好的ZnS窗口层薄膜,采用电子束蒸发法在玻璃基片上沉积ZnS薄膜,研究退火温度(200～500℃)对ZnS薄膜的结构和光电性能的影响.结果表明:所制备的薄膜均为闪锌矿结构的β-ZnS多晶薄膜,导电类型为n型.随着退火温度的增高,薄膜结晶度和光电性能都变好.但是,当退火温度过高(500℃)时,薄膜的半导体特性反而变差.退火温度为400℃时,ZnS薄膜的性能最佳,此时薄膜的透过率较高;电阻率较低,为246.2 Ω·cm.