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机译:原位沉积后沉积热退火的共蒸发Cu(InGa)SE 2 INF>薄膜沉积在低温下
James D. Wilson; Brian E. McCandless; Robert W. Birkmire; William N. Shafarman;
机译:共蒸镀和沉积后退火制备Cu 2 inf> ZnSnSe 4 inf>薄膜的原子探针研究
机译:<![CDATA [解决方案阶段的电气和光学属性存放为 2 CE:INF> S 3 CE:INF>和 作为 2 ce:inf> se 3 ce:inf>硫属化物薄膜:用热沉积薄膜进行比较研究]]>
机译:薄射频磁控溅射后沉积退火型VO 2 CE:INF>熔点上方的薄膜
机译:低温沉积的共蒸发Cu(InGa)Se 2 inf>薄膜的原位沉积后热退火
机译:沉积后注入和退火对PECVD沉积氮化硅膜性能的影响
机译:Cu(Ga)Se2薄膜铟溴化铟溴化铟脱沉铬酸盐后重结晶处理分析
机译:O 2 inf> / Ar流量比和沉积后退火对室温下射频溅射沉积SrTiO 3 inf>薄膜的结构,光学和电学特性的影响
机译:Cu(Ga和/或In)Se2薄膜层,Cu(InGa)(S,Se)2薄膜层,太阳能电池和形成Cu(Ga和/或In)Se2薄膜层的方法
机译:低温薄膜沉积和原位退火的系统和方法
机译:化学气相沉积膜原位沉积后表面钝化的方法
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