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机译:用PECVD生长的单层或多层石墨烯的低温合成和场发射特性
Jamia Millia Islamia, Dept Phys, New Delhi, India;
Jamia Millia Islamia, Dept Phys, New Delhi, India;
Jamia Millia Islamia, Dept Phys, New Delhi, India;
Jamia Millia Islamia, Dept Phys, New Delhi, India;
Jamia Millia Islamia, Dept Phys, New Delhi, India;
Graphene; Chemical vapor deposition; Field emission; Scanning probe microscopy; Emission current;
机译:在4H碳化硅上生长的单层石墨烯场效应晶体管的传输特性
机译:电子回旋共振化学气相沉积在低温下生长的多壁碳纳米管的场发射特性
机译:在低至450摄氏度的温度下生长的单壁和少壁碳纳米管:电和场发射特性
机译:20.1:使用PECVD逐层技术沉积的氮-气-相掺杂无氢类金刚石碳膜的场发射特性
机译:马赫6轴对称流场中由于冲击边界层相互作用而引起的非稳态压力和温度特性的研究
机译:高取向热解石墨块得到平面石墨烯层的场发射特性研究
机译:Si和Ge(100)衬底上通过低温RF-PECVD外延生长的弛豫薄膜锗层的结构特性