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于丽娟; 邓宁; 李俊峰; 朱长纯;
中国电子学会;
中国真空学会;
场发射; 射频; 等离子体; 氮化硼薄膜;
机译:X射线电子学研究初始气相组成对硼砂PECVD法得到的六角形氮化硼薄膜电子结构变化的影响
机译:PECVD合成的氯掺杂类金刚石碳薄膜的增强的场发射特性
机译:正交晶氮化硼薄膜的场发射特性
机译:立方氮化硼晶体晶粒沉积在Si衬底上的氮化硼薄膜的场发射特性
机译:制备多层立方氮化硼薄膜和类sp(3)氮化硼薄膜的各种制造方法的研究。
机译:氧辅助刻蚀生长法大规模合成纳米金字塔状VO2薄膜场发射特性显着增强
机译:PECVD法合成垂直取向的碳纳米管及其在层状结构中场效应发射特性的研究。
机译:镉硫化物场发射场的场和光子增强电子发射特性
机译:以合同号N00014-98-1支持至少提高某些特征的,提高电子的场发射特性的纳米管背衬材料装料的创造方式(关于研究或开发的声明,联邦政府的财政资助)。 -05907由政府。在发明时,政府可以拥有固定权利。
机译:得益于sp3连接特征氮化硼薄膜及其生产方式及其在应用中优越的零电场电子发射特性具有的表面形态。
机译:ZnO纳米线的场发射特性的增强方法和ZnO纳米线通过施加直流电压来增强器件的场发射特性的方法
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