机译:工艺参数对非易失性存储器应用中金属/ PZT / Al_2O_3 /硅栅叠层的结构和电性能的影响
Department of Electronics and Communication Engineering, Indian Institute of Information Technology-Allahabad;
Department of Electronics and Communication Engineering, Indian Institute of Information Technology-Allahabad;
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机译:等离子体增强原子层沉积的HfO_2缓冲层对用于非易失性存储应用的金属/铁电/绝缘体/半导体栅堆叠的结构,电和铁电性能的影响
机译:金属/ SrBi_2Nb_2O_9 / Al_2O_3 /硅栅堆叠中的高k缓冲层可实现非易失性存储应用的存储改进
机译:用于非易失性存储应用的金属??铁电??高k介电??硅结构的结构和电性能
机译:用于非易失性存储器的金属铁电体PbZr / sub X / Ti / sub 1-X / O / sub 3 /-绝缘体Ta / sub 2 / O / sub 5 /-硅结构的电特性
机译:用于非易失性浮栅和电阻开关存储应用的金属氧化物电介质的研究。
机译:氧化和还原退火对Ge / La2O3 / ZrO2栅叠层电性能的影响
机译:金属栅电极对Y2O3 / Si0.78Ge0.22栅极堆叠电性能的影响