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机译:在间隔物厚度效应下调整垂直堆叠的InAs / GaAs量子点特性以实现1.3μm发射
Laboratoire de Physique des Semi-conducteurs et des Composants Electroniques, Faculte des Sciences de Monastir, Avenue de l'Environnement, 5000 Monastir, Tunisia;
机译:热退火对具有优化间隔层厚度的垂直堆叠InAs / GaAs量子点的光致发光性能的影响
机译:优化垂直堆叠的InAs / GaAs量子点的间隔层厚度
机译:GaAs-间隔物应变对GaAs矩阵中堆叠式InAs量子点垂直排列的影响
机译:紧密堆积的InAs / GaAs量子点具有长波长发射的偏振光致发光性质的GaAs第一层厚度与厚度的关系
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:使用硅雪崩光电二极管从InAs / GaAs量子点发射1.3μm的单光子特性
机译:MBE在单个和堆叠层中发射13μm的INAS / GaAs量子点的生长优化和光谱