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机译:具有SiO2纳米掩模的GaN纳米棒模板上的绿色InGaN / GaN发光二极管的效率和下垂改善
Department of Photonics and Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan;
机译:具有SiO_2纳米掩模的GaN纳米棒模板上的绿色InGaN / GaN发光二极管的效率和下垂改善
机译:具有低峰蓝移和效率下降的高效InGaN / GaN核-壳纳米棒发光二极管
机译:使用p-InGaN / GaN超晶格最后一个量子垒改善蓝色InGaN发光二极管的效率下降
机译:通过选择性载流子分配操纵,提高InGaN / GaN发光二极管的效率和下垂率
机译:研究和优化GaN基发光二极管中的载流子传输,载流子分布和效率下降
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:IngaN / GaN多量子孔绿发光二极管内部量子效率改进