机译:使用p-InGaN / GaN超晶格最后一个量子垒改善蓝色InGaN发光二极管的效率下降
Experimental Teaching Department, Guangdong University of Technology, Guangzhou, China;
Internal quantum efficiency; light-emitting diodes (LEDs); superlattice;
机译:在GaN势垒中插入p-InGaN层的蓝色InGaN基发光二极管的效率和下垂度的改善
机译:具有GaN / InGaN超晶格势垒的蓝色InGaN发光二极管的下垂改善
机译:铟分级的最后势垒的蓝色InGaN / GaN多量子阱发光二极管的下垂改善
机译:InGaN / GaN多量子阱对蓝光发光二极管效率下垂的P-N量子屏障的影响
机译:研究和优化GaN基发光二极管中的载流子传输,载流子分布和效率下降
机译:具有优化的GaN势垒的InGaN / GaN多层量子点黄绿色发光二极管
机译:最后势垒对蓝色InGaN / GaN发光二极管效率提高的影响