一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法

摘要

本发明涉及一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法，其中制作方法包括：在衬底上依次沉积GaN缓冲层、N型GaN、Ni金属薄膜。快速退火制备Ni纳米颗粒掩膜。采用ICP刻蚀工艺制备获得锥形GaN纳米结构，除去锥形GaN纳米结构表面残余的金属Ni。接着在所述的锥形GaN纳米结构表面沉积InGaN/GaN量子阱和P型GaN,获得一个完整的GaN基LED外延片。用此方法制备的InGaN/GaN量子阱可以实现一次出射多个波段的光谱，同时兼顾目前的半导体器件生产工艺。