机译:具有非晶SiInZnO和GaInZnO薄膜晶体管的全摆幅逻辑逆变器
Electronic Materials Center, Material Science and Technology Research Division, Korea Institute of Science and Technology, P. O. Box 131, Seoul 130-012, South Korea;
机译:使用所有n型非晶ZnSnO和SiZnSnO薄膜晶体管的高性能全摆幅逻辑逆变器
机译:具有非晶SilnZnO和GalnZnO薄膜晶体管的全摆幅逻辑逆变器
机译:具有非晶SiZnSnO薄膜晶体管的全摆幅耗尽型负载逆变器
机译:具有金属盖层的非晶SiZnSnO薄膜晶体管的薄膜逻辑电路
机译:用于增强离子注入薄膜和非晶混合氧化物薄膜晶体管性能的新型低温工艺。
机译:基于氧化物薄膜晶体管的垂直堆叠互补逆变器用于逻辑和光电传感器操作
机译:基于室温制造的无晶硅锌氧化物的全氧化物透明薄膜晶体管:接近亚阈值摆动的热力学极限