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机译:辐照GaN层中与空位相关的磁活性缺陷
Department of Applied Physics, Aalto University, P.O. Box 11100, FI-00076 Aalto Espoo, Finland;
机译:辐照GaN层中与空位相关的磁活性缺陷
机译:高能Sn离子辐照GaN中空位缺陷的产生-正电子束多普勒展宽研究
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机译:高能量Sn离子照射的GaN-Coritron束多普勒扩大研究中的生产空位缺陷
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:具有空位的变形单层WSe2的电子和磁性
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机译:用正电子湮没光谱法表征外延GaN和Znse半导体层中的天然空位