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机译:30纳米以下栅极长度的金属氧化物半导体场效应晶体管中表面电势对栅极电压施加的响应的原位电子全息图
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机译:绝缘硅上金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的背栅电压依赖性分析及其在Si单电子晶体管中的应用
机译:集成了Pt的全硅化镍/ SiON栅叠层的亚30纳米互补金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:亚30-nm栅极长MOSFET中晶体缺陷,耗尽区和结漏电区的相关性:电子全息术直接检查
机译:用于低功率逻辑应用的铟镓砷化物埋沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。
机译:全方位栅InAs纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管中的高度栅可调Rashba自旋轨道相互作用
机译:场效应晶体管:多层MOS2场效应晶体管的阈值电压控制通过十八烷基氯硅烷及其应用于由增强模式逻辑门驱动的有源矩阵量子点显示器(小7/2019)
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)