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机译:InP双异质结双极晶体管中非线性的物理起源
Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, 1406 West Green Street, Urbana, Illonois 61801, USA;
机译:inP双异质结双极晶体管的非线性物理起因
机译:基电荷的积累和推出对I型InP / InGaAs / lnP和I / ll型AllnP / GaAsSb / lnP双异质结双极晶体管非线性的影响
机译:基于流体动力学仿真的物理模型用于InGaAs / InP双异质结双极晶体管的设计
机译:基于流体动力学模拟的缩放和优化InGaAs / InP双异质结双极晶体管层结构的物理模型
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:用于高效光伏转换的三端异质结双极晶体管太阳能电池
机译:使用InP-GaAsSb-InP双异质结双极晶体管测量磷化铟的电子引发的碰撞电离系数
机译:Inp / Gaassb / Inp双异质结双极晶体管。